BDX53C Transistor

NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:750hFE, TO-220 3-Pin

Technische Daten:
Transistor-Typ NPN
Dauer-Kollektorstrom max. 8 A
Kollektor-Emitter- 100 V Basis-Emitter Spannung max. 5 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Konfiguration Single Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gleichstromverstärkung min. 750
Kollektor-Basis-Spannung max. 100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 4 V
Kollektor-Abschaltstrom max. 0.2mA
Länge 10.4mm
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur min. -65 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 9.15mm
Breite 4.6mm